FDJ局部放電檢測儀是按照DL/T846.4-2004《高電壓測試設(shè)備通用技術(shù)條件》、GB/T 7354-2003《局部放電測量》開發(fā)的， 產(chǎn)品參考標準：IEC 61730:2-2004"局部放電試驗"，用于晶體硅組件TPT背膜檢測。
1、測量功能：可檢測局部放電幅值、極性、相位、放電起始電壓、熄滅電壓、次數(shù)等相關(guān)參數(shù)。
2、同步功能：內(nèi)、外同步任意選擇，且具有零標指示和相位分辨功能。
3、顯示方式：可選擇橢圓、直線、正弦及二維、三維等界面顯示局部放電信號，可直觀的分析測試過程中信號的頻率、相位、幅度以及試驗電壓之間的相互關(guān)系。
4、局部放大：可對單個或某一段放電信號進行波形分析，確定信號的性質(zhì)。
5、同步消隱：在配合阻抗單元和耦合電容的情況下，可對來自地網(wǎng)、試驗電源和試驗現(xiàn)場空間的干擾進行同步濾除。
6、極性鑒別：可通過放電信號的脈沖極性區(qū)分，是試品內(nèi)部，還是外部的放電，有效去除外部干擾。
7、頻譜分析：基于FFT算法實現(xiàn)的頻譜分析與FIR數(shù)字濾波功能。
8、增益可調(diào)：在量程切換跨度內(nèi)，實現(xiàn)增益連續(xù)可調(diào)。
9、保存打?。嚎杀４鎲未畏烹姷臄?shù)據(jù)，也可記錄一段時間的局部放電圖形及相關(guān)參數(shù)，保存的數(shù)據(jù)可回放和重現(xiàn)方便后期分析。對單次放電的數(shù)據(jù)提供打印功能。
1、測量通道：獨立通道；
2、檢測靈敏度：0.5pC；
3、采樣精度：12位；
4、采樣速率：12.5m/s；
5、測量范圍：0.5pC～1μC；
6、量程線性度誤差：優(yōu)于±5%；
7、量程切換：／10、×1、×10、×100；
8、試品電容量范圍：6pF~250μF；
9、測量頻帶：10kHz~1MHz；
10、程控濾波：
低端頻率：20kHz，40kHz，60kHz，80kHz；
高端頻率：100kHz，200kHz，300kHz，400kHz；
數(shù)字濾波：10kHz~1MHz可選；
11、試驗電源頻率：30~300Hz；
12、工作環(huán)境：環(huán)境溫度：-10～45℃相對濕度：≤95%；
13、電源：AC220V；頻率50Hz。
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